半導体開発で協力推進　米研究拠点を視察―萩生田経産相

東京, 5月05日, /AJMEDIA/

　訪米中の萩生田光一経済産業相は３日（日本時間４日未明）、ニューヨーク州にある半導体研究拠点を視察した。半導体関連企業と意見交換し、日米両政府が協力して研究開発などを推進するとともに、経済安全保障の観点から日米が連携して半導体政策に取り組む重要性を確認した。
　視察では、米ＩＢＭの責任者から先端半導体の開発状況に関する説明を受けた。意見交換では、企業側から継続的に研究開発を支援することや、産学との連携による人材育成を求める声が上がった。萩生田氏は訪米中に、レモンド商務長官らと会談する予定で、先端半導体での日米協力などについて協議する。